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BSC196N10NS G /MOSFET N-Ch 100V 45A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC196N10NS G的规格信息
BSC196N10NS G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:8.5 A

Rds On-漏源导通电阻:19.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:78 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:BSC196N10NSGATMA1 BSC196N1NSGXT SP000379604

单位重量:188 mg

供应商BSC196N10NS G
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深圳市威雅利发展有限公司BSC196N10NS G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSC196N10NS G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司BSC196N10NS Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司BSC196N10NS G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市坤融电子有限公司BSC196N10NS G航都大厦10I0755-23990975
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芯莱德电子（香港）有限公司BSC196N10NS G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市高捷芯城科技有限公司BSC196N10NS G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司BSC196N10NS G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳和润天下电子科技有限公司BSC196N10NS G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司BSC196N10NS G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司BSC196N10NS G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSC196N10NS G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司BSC196N10NS G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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BSC196N10NS GMOSFET N-Ch 100V 45A TDSON-8 OptiMOS 2Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO656.46 Kbytes共10页BSC196N10NS G的PDF下载地址无
BSC196N10NS G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 42?A 漏源导通电阻：19.6mΩ @ 45A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO659.2 Kbytes共10页BSC196N10NS G的PDF下载地址无
BSC196N10NS G的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		BSC196N10NS GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 45A5000+:￥3.83
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BSC196N10NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 45A TDSON-8 OptiMOS 21:¥8.2942
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BSC196N10NS GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 45A5000+:￥3.83
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		BSC196N10NS GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 42?A 漏源导通电阻：19.6mΩ @ 45A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道1+:￥6.9
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